[发明专利]一种空气隙晶体管器件结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201910999741.8 | 申请日： | 2019-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN110797407B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 康晓旭 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;尹一凡 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种空气隙晶体管器件结构及其制造方法，该结构包括发射极、控制极、收集极和空气隙；发射极包括形成于半导体衬底上的鳍结构和在鳍结构的表面形成一发射极材料层，其中，鳍结构的顶端为凸起的弧型；控制极在发射极的外围形成，并露出发射极的引出端；其中，发射极和控制极通过第一介质隔离层隔离；收集极在控制极的外侧形成，并露出控制极的引出端；其中，控制极与所述收集极通过第二隔离介质层隔离；空气隙的形状如圆弧顶的蘑菇，空气隙的蘑菇顶与收集极相连，发射极位于空气隙的底部，空气隙的蘑菇根部与鳍结构的顶端相连；空气隙的圆弧顶内侧同第一介质隔离层相连，控制极在凸起的发射极的两侧，且被第二隔离介质层所包围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 空气 晶体管 器件 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种空气隙晶体管器件结构，其特征在于，包括：/n发射极，包括形成于半导体衬底上的鳍结构和在所述鳍结构表面形成的一发射极材料层，其中，所述鳍结构的顶端为向上凸起的弧形或三角形结构；/n控制极，其在所述发射极的外围形成，并露出所述发射极的引出端；其中，所述发射极和控制极通过第一介质隔离层隔离；/n收集极，其在所述控制极的外侧形成，并露出所述控制极的引出端；其中，所述控制极与所述收集极通过第二隔离介质层隔离；/n空气隙，其形状为顶部向上凸起的类蘑菇形，所述空气隙的蘑菇顶与所述收集极相连，所述发射极位于所述空气隙的根部，所述蘑菇形空气隙的根部与所述鳍结构顶端相连；所述空气隙的圆弧顶内侧同所述第一介质隔离层相连，所述控制极在凸起的所述发射极的两侧，且被所述第二隔离介质层所包围。/n
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