[发明专利]基于等离子体增强原子层沉积栅极绝缘层的氧化锡基薄膜晶体管及制备方法在审
| 申请号： | 201910999810.5 | 申请日： | 2019-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN110783412A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 宁洪龙;刘贤哲;姚日晖;袁炜健;张旭;张观广;梁志豪;梁宏富;邱斌;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/24;H01L29/49;H01L29/51;H01L21/34;H01L21/443 |
| 代理公司： | 44245 广州市华学知识产权代理有限公司 | 代理人： | 林梅繁 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于薄膜晶体管技术领域，涉及一种基于等离子体增强原子层沉积栅极绝缘层的氧化锡基薄膜晶体管，包括依次设置的：衬底、栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏电极，其中：栅极绝缘层是由等离子体增强原子层沉积制备的氧化铝薄膜，有源层是通过磁控溅射沉积制备的硅掺杂氧化锡薄膜。本发明的氧化锡基薄膜晶体管采用等离子体增强原子层沉积法制备高介电常数的氧化铝作为栅极绝缘层，并且使用非晶硅掺杂氧化锡半导体材料作为有源层材料，降低了有源层/栅极绝缘层界面缺陷态和器件的开启电压，显著地提高了器件迁移率和稳定性。本发明还提供一种基于等离子体增强原子层沉积栅极绝缘层的氧化锡基薄膜晶体管制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极绝缘层 等离子体增强原子层沉积 源层 氧化锡基薄膜 晶体管 制备 半导体材料 磁控溅射沉积 薄膜晶体管 掺杂氧化锡 高介电常数 界面缺陷态 氧化铝薄膜 氧化锡薄膜 开启电压 依次设置 源漏电极 非晶硅 硅掺杂 迁移率 氧化铝 衬底 | ||
【主权项】：
1.基于等离子体增强原子层沉积栅极绝缘层的氧化锡基薄膜晶体管，其特征在于，包括依次设置的：衬底、栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏电极，其中：栅极绝缘层是由等离子体增强原子层沉积制备的氧化铝薄膜，有源层是通过磁控溅射沉积制备的硅掺杂氧化锡薄膜。/n
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