[发明专利]一种提高射频MEMS开关中聚酰亚胺牺牲层平整度的方法有效
| 申请号： | 201911000222.2 | 申请日： | 2019-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN110713169B | 公开（公告）日： | 2023-02-14 |
| 发明（设计）人： | 吴倩楠;高跃升;李孟委;李强;朱光州 | 申请（专利权）人： | 中北大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;H01H1/00 |
| 代理公司： | 太原荣信德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14119 | 代理人： | 杨凯;连慧敏 |
| 地址： | 030051 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明属于聚酰亚胺牺牲层制备方法技术领域，具体涉及一种提高射频MEMS开关中聚酰亚胺牺牲层平整度的方法，包括下列步骤：将冷藏得聚酰亚胺在常温环境静置12h以上；置于功率为400W的氧等离子体中轰击5min，之后置于温度为110℃的热板上加热90s；将处理的晶圆迅速置于匀胶机上，趁其温度较高，旋涂聚酰亚胺；将旋涂有聚酰亚胺的晶圆水平放置在培养皿中，加盖，之后将培养皿放置在鼓风烘箱中进行预固化处理；经过预固化后的聚酰亚胺已经变成固态，通过光刻胶在聚酰亚胺上刻蚀锚点通孔；用丙酮去除光刻胶；将晶圆置于氮气烘箱中进行固化处理；去除残留的丙酮，完成高平整度牺牲层的制备。本发明用于聚酰亚胺牺牲层的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 射频 mems 开关 聚酰亚胺 牺牲 平整 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高射频MEMS开关中聚酰亚胺牺牲层平整度的方法，其特征在于：包括下列步骤：/nS1、首先将冷藏得聚酰亚胺在常温环境静置12h以上；/nS2、将制作有信号线、驱动电极、隔离层的晶圆置于功率为400W的氧等离子体中轰击5min，之后置于温度为110℃的热板上加热90s；/nS3、将经过S2处理的晶圆迅速置于匀胶机上，趁其温度较高，旋涂聚酰亚胺；/nS4、将旋涂有聚酰亚胺的晶圆水平放置在培养皿中，加盖，之后将培养皿放置在鼓风烘箱中进行预固化处理；/nS5、经过预固化后的聚酰亚胺已经变成固态，通过光刻胶在聚酰亚胺上刻蚀锚点通孔；/nS6、用丙酮去除S5的光刻胶；/nS7、将晶圆置于氮气烘箱中进行固化处理；/nS8、去除S6中残留的丙酮，完成高平整度牺牲层的制备。/n
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