[发明专利]一种场发射电子源结构及其形成方法、电子源、微波管有效
| 申请号： | 201911001414.5 | 申请日： | 2019-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN110767519B | 公开（公告）日： | 2022-03-04 |
| 发明（设计）人： | 郝广辉;邵文生;张珂 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十二研究所 |
| 主分类号： | H01J23/04 | 分类号： | H01J23/04;H01J25/34;H01J9/12;H01J1/34 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 张雪梅 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种光增强场发射电子源结构及其形成方法、包括其的电子源、微波管，所述电子源结构包括支撑衬底；形成在衬底上的光电阴极层；形成在光电阴极层的一部分上的源极；覆盖所述源极和光电阴极层的绝缘层；形成在所述绝缘层上的栅极；以及贯穿所述栅极及所述绝缘层且暴露所述光电阴极层的真空沟道。本发明提供的光增强场发射电子源结构与基于冷阴极的电子源结构相比，具有较低的工作电压，可有效降低了强电场作用下电子源器件因击穿导致短路的概率；相比于传统光电阴极组件的电子源结构，本发明的光增强场发射电子源结构拥有更大的发射电流密度和更强的抗离子轰击能力，可满足高频率行波管对大电流密度电子源结构的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发射 电子 结构 及其 形成 方法 微波 | ||
【主权项】：
1.一种光增强场发射电子源结构，其特征在于，该电子源结构包括：/n支撑衬底；/n形成在衬底上的光电阴极层；/n形成在光电阴极层的一部分上的源极；/n覆盖所述源极和光电阴极层的绝缘层；/n形成在所述绝缘层上的栅极；/n以及贯穿所述栅极及所述绝缘层且暴露所述光电阴极层的真空沟道。/n
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