[发明专利]产生光掩模图案的方法及系统在审
申请号: | 201911001492.5 | 申请日: | 2019-10-21 |
公开(公告)号: | CN111123642A | 公开(公告)日: | 2020-05-08 |
发明(设计)人: | 胡彦同;陈冠吉;吴亚轩;林轩立;黄志仲;蔡启铭 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/76 | 分类号: | G03F1/76;G03F1/68;G03F1/70 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 龚诗靖 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明实施例提供一种产生光掩模图案的方法及系统。所述系统获得设计布局图像,且基于热点检测模型产生对应于所述设计布局图像的热点图像。所述系统基于所述热点图像产生两个光掩模图案。所述至少两个光掩模图案经转印到半导体衬底上。 | ||
搜索关键词: | 生光 图案 方法 系统 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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