[发明专利]发光元件及微发光二极管的转移方法有效
| 申请号： | 201911001510.X | 申请日： | 2019-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN112768394B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 夏继业;曹轩;董小彪;姚志博;王岩;李晓伟;郭剑;王程功 | 申请（专利权）人： | 成都辰显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L33/00;H01L27/15 |
| 代理公司： | 广东君龙律师事务所 44470 | 代理人： | 丁建春 |
| 地址： | 611731 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光元件及微发光二极管的转移方法，发光元件具体包括：微发光二极管，微发光二极管包括第一电极及第二电极；其中，所述第一电极和所述第二电极之间设置有填充材料层。以此在进行转移时，去除填充材料层后，能够使中间基板、第二转移装置与微发光二极管之间的接触面积产生差异，以此能够在满足粘附力要求的条件下使中间基板与第二转移装置选用同一材料，进而减少材料使用种类，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 发光二极管 转移 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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