[发明专利]一种巨量转移MicroLED芯片的方法及系统

摘要

本发明公开了一种巨量转移MicroLED芯片的方法，包括：提供一基板，所述基板的表面设有第一金属层,所述第一金属层选用钝化金属制成，所述钝化金属的电阻率≤110nΩ·m；在MicroLED芯片的底面设有第二金属层,所述第二金属层选用第二金属制成，所述第二金属经过UV光源的照射，能吸附负离子；通过等离子清洗机对第一金属层的表面离子进行清洗，使其带正离子；对MicroLED芯片的第二金属层进行照射紫外光处理，使其带负离子；将基板和MicroLED芯片置于不导电液体中，所述MicroLED芯片通过电离子吸附转移到所述基板上。采用本发明，实现了巨量转移，操作简单，效率高，且定位精准。