[发明专利]二维铌酸锶纳米片紫外光电晶体管探测器

摘要

本发明属于半导体光电器件技术领域，具体为二维铌酸锶纳米片紫外光电晶体管探测器。本发明紫外探测器包括：SiO2/Si衬底、铌酸锶Sr2Nb3O10纳米片和铬‑金接触电极。其中Sr2Nb3O10纳米片旋涂分散于SiO2/Si衬底上，紫外光刻铬‑金电极与纳米片上表面接触，形成背栅极紫外光电晶体管结构。二维铌酸锶纳米片具有高禁带宽度，可实现无滤波片窄带紫外光探测；微米电极距离接近，紫外光照射下具有很高的探测率和光电增益，响应速度较快；形成背栅极光电晶体管，可通过调节栅压对纳米片载流子浓度进行调控，不同栅压下具有双极特性；该二维铌酸锶晶体管器件边长仅约200μm，有助于实现器件小型化应用。