[发明专利]一种光刻半导体加工工艺

摘要

本发明公开了一种光刻半导体加工工艺，由以下加工工艺步骤组成，其工艺步骤包括干燥、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、腐蚀与去胶等，所述涂胶工艺在石英表面溅射一层铬层，在铬层上旋涂一层电子束光刻胶，利用电子束直写技术将图形转移到电子束光刻胶层上，本发明中在进行光刻膜的操作的过程中，通过使用丙烯酸酯聚合物作为粘合剂，有效加强丙烯酸酯单体化学稳定性，同时在光刻膜的过程中通过利用合成光引发剂，加强光触变性，从而使得光刻效率及精细性得到稳定，这样避免了光刻之后的产品出现不合格的现象，这样解决了现有的光刻半导体方法由于粘合剂不稳定导致该光刻膜半导体的化学稳定性不足的问题。

主权项

1.一种光刻半导体加工工艺，由以下加工工艺步骤组成，其工艺步骤包括干燥、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、腐蚀与去胶等，所述光刻膜的生产工艺步骤如下：/n步骤一：光刻前待光刻片子置于干燥塔中，氧化片出炉后可立即送光刻工序涂胶，对氧化片可在涂胶前重吹段时间干氧，从而使得对衬底片表面进行加热干燥处理，涂胶前片子置于80度烘箱中烘30分钟；/n步骤二：在衬底片表面涂敷一层粘附性良好的、厚度均匀的、致密的连续性胶膜，在石英表面溅射一层铬层，在铬层上旋涂一层电子束光刻胶，利用电子束直写技术将图形转移到电子束光刻胶层上；/n步骤三：取出涂胶之后的产品，之后将该产品放置在80度烘箱中烘15分钟-20分钟，在烘箱中取出之后再放置在红外烘箱中烘3分钟-5分钟，从而利用烘干设备使胶膜中的溶剂全部挥发、胶膜保持干燥；/n步骤四：之后采用紫外光光刻机及其所进行的接触式、选择性、紫外光曝光工艺方法进行曝光工艺的处理，使感光区的胶膜发生光化反应、在显影时发生溶变；/n步骤五：在曝光之后将产品放置显影液中、溶除要求去掉的胶膜部分，对负性光刻胶溶除未曝光部分，对正性光刻胶溶除已曝光部分；/n步骤六：置于恒温箱中，在180度烘30 分钟左右，置于红外烘箱中烘10分钟左右，去除在显影过程中进入胶膜中的水分(显影液)；/n步骤七：通过采用腐蚀二氧化硅时采用氢氟酸缓冲液进行腐蚀，腐蚀条件是：在温度30度-40度下，时间适当、腐蚀铝时采用热磷酸进行腐蚀，腐蚀条件是：在温度80度下，时间适当，使得去除衬底表面无胶膜保护的薄膜层；/n步骤八：最后通过去胶工艺操作。/n