[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201911003483.X | 申请日： | 2019-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN111261704A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 李宪福;金大容;金完敦;任廷爀;郑元根;崔孝锡;玄尚镇 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/423;H01L23/538;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜;王占杰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：有源图案，位于衬底上，所述有源图案在第一方向上延伸；栅电极，位于所述有源图案上，所述栅电极在与所述第一方向相交的第二方向上延伸，并且包括沿着所述第二方向布置的第一部分和第二部分；第一接触插塞，位于所述栅电极上，所述第一接触插塞连接到所述栅电极的所述第二部分的顶表面；源极/漏极区，位于在所述栅电极的侧壁上的所述有源图案中；以及源极/漏极接触，位于所述源极/漏极区上，所述源极/漏极接触的顶表面的高度高于所述栅电极的所述第一部分的顶表面的高度，并且低于所述栅电极的所述第二部分的所述顶表面的高度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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