[发明专利]介质衬底上直接生长二维六方氮化硼的方法有效
| 申请号： | 201911003590.2 | 申请日： | 2019-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN110629184B | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 孟军华;张兴旺;高孟磊;尹志岗;吴金良 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C23C14/46 | 分类号： | C23C14/46;C23C14/06;C23C14/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种介质衬底上直接生长二维六方氮化硼的方法。该方法包括：准备一介质衬底；将所述介质衬底预置在一离子束溅射沉积腔室内，沉积腔室内包含氮化硼靶，以及辅助离子源和主离子源，并将该沉积腔室预抽至一背底真空度；该辅助离子源对介质衬底表面实施原位氮化处理；该主离子源溅射该氮化硼靶得到氮、硼原子并沉积至该介质衬底上生长二维六方氮化硼；降温得到二维六方氮化硼样品。本发明提供的介质衬底上直接生长二维六方氮化硼的方法，不仅可以提高介质衬底上六方氮化硼的晶体质量，而且可控性好，制备的薄膜表面平整、均匀性好，对其光电子学应用有着十分重要的意义。 | ||
| 搜索关键词： | 介质 衬底 直接 生长 二维 氮化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种介质衬底上直接生长二维六方氮化硼的方法，其特征在于，包括：/n准备一介质衬底；/n将所述介质衬底预置在一离子束溅射沉积腔室内，该沉积腔室内包含一氮化硼靶、以及辅助离子源和主离子源，并将所述沉积腔室预抽至一背底真空度；/n所述辅助离子源对所述介质衬底表面实施原位氮化处理；/n所述主离子源溅射所述氮化硼靶得到氮、硼原子并沉积至所述介质衬底上生长二维六方氮化硼；/n降温得到二维六方氮化硼样品。/n
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