[发明专利]掺铝AlN-CdZnTe复合结构组件及其制备方法在审
| 申请号： | 201911003731.0 | 申请日： | 2019-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN110643937A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 沈悦;顾建文;陈日志;孙佳豪;顾峰;黄健;王林军 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | C23C14/02 | 分类号： | C23C14/02;C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 31205 上海上大专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种掺Al的AlN靶材、AlN‑CdZnTe复合结构组件及其制备方法，采用掺Al的AlN靶材，调控和优化进行溅射AlN工艺条件，制备AlN薄膜和CdZnTe厚膜，本发明方法首先制备掺Al的AlN靶材，以便用于之后AlN薄膜的溅射；然后是在AlN陶瓷衬底上溅射AlN膜，使其能和衬底形成AlN复合衬底来上快速生长大面积、高质量的CdZnTe厚膜。本发明可以制备出晶格缺陷较少的高质量的CdZnTe厚膜，以便于其在红外探测器、X射线与γ射线探测器、太阳能电池以及光电调制器等领域的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 靶材 厚膜 溅射 衬底 复合结构组件 光电调制器 红外探测器 射线探测器 太阳能电池 工艺条件 晶格缺陷 快速生长 陶瓷衬 复合 调控 应用 优化 | ||
【主权项】：
1.一种掺Al的AlN靶材，其特征在于：按照Al相对于AlN的质量比不高于3％的Al掺入量，制备掺Al的AlN复合材料靶材，为进行溅射AlN工艺时提供富Al的条件。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海大学，未经上海大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911003731.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种适合铣削加工用的多层复合涂层及其制备方法
- 下一篇：掩膜板组件
- 同类专利
- 专利分类
