[发明专利]一种碳化硅MOSFET功率器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201911005732.9 | 申请日： | 2019-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN110660863A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 王谦;柏松;杨勇 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/04 |
| 代理公司： | 32200 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 孙淑君 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳化硅MOSFET功率器件及其制备方法，制备方法包括：提供第一掺杂类型重掺杂的衬底，并于第一表面上形成第一掺杂类型轻掺杂的外延层；于外延层内形成阱区；于阱区内形成环绕JFET区的源区，并于环绕源区的阱区内形成接触区；于定义的JFET区进行所述第一掺杂类型的掺杂，形成JFET埋层式掺杂区；于外延层表面形成栅结构，并于所述栅结构表面沉积表面钝化层；形成与栅结构电连接的栅金属电极，于源区表面形成源金属电极，于衬底的第二表面形成漏金属电极。本发明在常规平面栅MOSFET功率器件的JFET区域进行N型离子注入后形成埋层式掺杂区，在降低JFET区电阻的同时，又可避免栅氧内电场强度提升，降低其击穿风险。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂类型 栅结构 源区 功率器件 掺杂区 外延层 衬底 埋层 制备 环绕 碳化硅MOSFET 表面钝化层 漏金属电极 外延层表面 源金属电极 表面沉积 表面形成 常规平面 第二表面 第一表面 电连接 接触区 轻掺杂 栅金属 重掺杂 电极 电阻 击穿 栅氧 阱区 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅MOSFET功率器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1：提供第一掺杂类型重掺杂的衬底，衬底具有第一表面和第二表面，在第一表面上形成第一掺杂类型轻掺杂的外延层；/nS2：在所述外延层内确定JFET区，在外延层内环绕JFET区的区域进行第二掺杂类型的掺杂，形成阱区；/nS3：在所述阱区内进行第一掺杂类型的重掺杂，形成环绕JFET区的源区，并且在阱区内环绕源区的区域进行第二掺杂类型的重掺杂，形成接触区；/nS4：在所述JFET区进行第一掺杂类型的掺杂，形成JFET埋层式掺杂区；/nS5：在所述外延层表面形成栅结构，所述栅结构至少覆盖所述JFET埋层式掺杂区，在所述栅结构表面沉积表面钝化层，所述表面钝化层内形成有与所述栅结构对应的第一窗口；/nS6：在所述源区和所述保护区表面形成源区姆接触金属层，在所述衬底的第二表面形成漏区欧姆接触金属层；/nS7：在所述第一窗口内形成与栅结构电连接的栅金属电极，在所述源区表面形成源金属电极，在所述衬底的第二表面形成漏金属电极。/n
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