[发明专利]形成集成电路结构的方法以及集成电路在审
| 申请号： | 201911005905.7 | 申请日： | 2019-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN111092053A | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 黄麟淯;游力蓁;王圣璁;游家权;张家豪;林天禄;林佑明;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 根据本申请的实施例，提供了形成集成电路结构的方法，包括在晶体管的源极/漏极区域上方形成电连接至源极/漏极区域的第一源极/漏极接触插塞，形成与栅极堆叠件重叠的第一介电硬掩模，使第一源极/漏极接触插塞凹进以形成第一凹槽，在第一凹槽中形成第二介电硬掩模，使层间介电层凹进以形成第二凹槽，以及在第二凹槽中形成第三介电硬掩模。第三介电硬掩模接触第一介电硬掩模和第二介电硬掩模。本申请的实施例还提供了其他形成集成电路结构的方法以及集成电路结构。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 集成电路 结构 方法 以及 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
