[发明专利]一种N型晶硅太阳能电池结构在审
申请号: | 201911005921.6 | 申请日: | 2019-10-22 |
公开(公告)号: | CN111477714A | 公开(公告)日: | 2020-07-31 |
发明(设计)人: | 张天杰;刘大伟;倪玉凤;杨露;宋志成 | 申请(专利权)人: | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司;黄河水电西宁太阳能电力有限公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/0747 | 分类号: | H01L31/0747;H01L31/0216 |
代理公司: | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人: | 安曼 |
地址: | 710099 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明的目的在于公开一种N型晶硅太阳能电池结构,包括N型硅衬底,在所述N型硅衬底的正面沉积有一P型掺杂非晶硅层作为发射极,在所述P型掺杂非晶硅层上依次设置有正面钝化层和正面减反射层,所述正面减反射层的表面设置正面金属电极,在所述N型硅衬底的背面设置有一隧穿氧化层,在所述隧穿氧化层的背面依次设置有多晶硅层和背面减反射层,所述背面减反射层的背面设置背面金属电极;与现有技术相比,解决了晶硅太阳能电池中通过高温工艺制作PN结的问题,从而减少N型电池在高温扩散工艺中易于产生同心圆的问题,兼容目前N型太阳能电池制作的工艺设备,工艺相对成熟,制程简单,具有可产业化推广的前景,实现本发明的目的。 | ||
搜索关键词: | 一种 型晶硅 太阳能电池 结构 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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