[发明专利]一种N型晶硅太阳能电池结构在审

专利信息
申请号: 201911005921.6 申请日: 2019-10-22
公开(公告)号: CN111477714A 公开(公告)日: 2020-07-31
发明(设计)人: 张天杰;刘大伟;倪玉凤;杨露;宋志成 申请(专利权)人: 国家电投集团西安太阳能电力有限公司;黄河水电西宁太阳能电力有限公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司
主分类号: H01L31/0747 分类号: H01L31/0747;H01L31/0216
代理公司: 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 代理人: 安曼
地址: 710099 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明的目的在于公开一种N型晶硅太阳能电池结构,包括N型硅衬底,在所述N型硅衬底的正面沉积有一P型掺杂非晶硅层作为发射极,在所述P型掺杂非晶硅层上依次设置有正面钝化层和正面减反射层,所述正面减反射层的表面设置正面金属电极,在所述N型硅衬底的背面设置有一隧穿氧化层,在所述隧穿氧化层的背面依次设置有多晶硅层和背面减反射层,所述背面减反射层的背面设置背面金属电极;与现有技术相比,解决了晶硅太阳能电池中通过高温工艺制作PN结的问题,从而减少N型电池在高温扩散工艺中易于产生同心圆的问题,兼容目前N型太阳能电池制作的工艺设备,工艺相对成熟,制程简单,具有可产业化推广的前景,实现本发明的目的。
搜索关键词: 一种 型晶硅 太阳能电池 结构
【主权项】:
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