[发明专利]一种制备碳化硅MOSFET栅介质层的方法在审
| 申请号： | 201911005945.1 | 申请日： | 2019-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN110808282A | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 王谦;柏松;费晨曦;杨勇 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/16 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 孙淑君 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明提供一种制备碳化硅MOSFET栅介质层的方法，包括如下步骤：提供SiC基材，并将所述SiC基材放置于ALD反应腔室中；将所述ALD反应腔室升温；采用ALD工艺在所述SiC基材表面依次循环生长SiO2薄膜与Al2O3薄膜，形成栅介质层；在氧气氛围中对形成的所述栅介质层进行退火处理。本发明的栅介质层在生长过程中，未消耗SiC外延片中的Si原子从而避免了栅介质层与SiC界面处C族聚集的现象，提高了界面特性；本发明利用ALD技术形成栅介质层，热预算低，简化器件制备工艺过程；本发明利用ALD技术形成的栅介质层同时具备SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 制备 碳化硅 mosfet 介质 方法 | ||
【主权项】：
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