[发明专利]一种具有亚1nm栅长的二维薄膜场效应晶体管有效
| 申请号： | 201911006196.4 | 申请日： | 2019-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN110911478B | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 任天令;田禾;吴凡 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L29/423;H01L23/552 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 廖元秋 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出的一种具有亚1nm栅长的二维薄膜场效应晶体管，包括依次层叠的衬底、衬底绝缘层、单层或少层石墨烯和垂直电场屏蔽结构，及第一绝缘层、二维薄膜和三个电极；厚度在亚1nm的单层或少层石墨烯作为栅极；垂直电场屏蔽结构由第二绝缘层和沉积电场阻挡层组成，或由金属层和包覆于其外的氧化层组成；垂直电场屏蔽结构用于隔绝栅极垂直方向电场以利用栅极厚度定义栅长；第一绝缘层覆盖在衬底绝缘层的顶部以及单层或少层石墨烯和垂直电场屏蔽结构同侧，并覆盖垂直电场屏蔽结构的上表面，用于产生栅极水平方向的电场；二维薄膜作为导电沟道覆盖在第一绝缘层上。本发明利用石墨烯厚度来定义栅长，可控制场效应晶体管的栅长在亚1nm范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 nm 二维 薄膜 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
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