[发明专利]一种单壁碳纳米管的CVD制备方法有效
申请号: | 201911006484.X | 申请日: | 2019-10-22 |
公开(公告)号: | CN110694633B | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 刘磊;于树磊;李杭;李锐杰;王恩哥 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | B01J23/887 | 分类号: | B01J23/887;C01B32/159;C01B32/162;C01B32/17 |
代理公司: | 北京睿驰通程知识产权代理事务所(普通合伙) 11604 | 代理人: | 张文平;唐华 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: |
一种Fe‑Mo/MgO系催化剂的制备方法及利用该催化剂的单壁碳纳米管CVD制备方法,通过对基于MgO负载的Fe‑Mo双金属催化剂的配方进行优化,大幅度降低催化剂中Mg元素的含量,降低催化剂的制备成本,同时通过对碳纳米管CVD生长过程中的CH |
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搜索关键词: | 一种 单壁碳 纳米 cvd 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种Fe-Mo/MgO系催化剂的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:/nS1、备齐九水硝酸铁、无水醋酸镁、钼酸铵·四水、柠檬酸和硝酸铵五种化合物;/nS2、按照催化剂配方中Mo:Fe:Mg=0.1:1:33.3的金属原子摩尔比来确定各化合物原料的质量,分别在分子称上称重;/nS3、将称量好的化合物制备成均匀水溶液;/nS4、加热溶液直至沸腾变为黄色疏松固体;/nS5、初步研磨并培烧;/nS6、结束培烧后进一步研磨得到浅黄色粉末,即为所需催化剂。/n
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