[发明专利]一种低温p型复合热电材料及制备方法有效

专利信息
申请号: 201911006509.6 申请日: 2019-10-22
公开(公告)号: CN110627502B 公开(公告)日: 2020-12-22
发明(设计)人: 马正青;杨明杰;马巍;王诗野 申请(专利权)人: 中南大学
主分类号: C04B35/515 分类号: C04B35/515;C04B35/622;H01L35/16
代理公司: 长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214 代理人: 刘伊旸;周晓艳
地址: 410083 湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明提供了一种低温p型复合热电材料的制备方法,包括成分配置、气氛保护熔炼、超声振动快速凝固和复合热电材料制备等工艺步骤,通过改变Sn和Bi的含量来调控Sn'Bi置换缺陷浓度,优化载流子浓度和引入点缺陷;利用SnxBi0.5‑xSb1.5Te3与Cu2S复合界面的能量过滤效应筛选高能载流子和增强界面对声子的散射,提高热电材料的功率因子,降低热电材料的热导率,并且在300K~400K温度范围内都有较高的ZT值。本发明制备的p型SnxBi0.5‑xSb1.5Te3/y(Cu2S)复合热电材料具有良好的ZT值。
搜索关键词: 一种 低温 复合 热电 材料 制备 方法
【主权项】:
1.一种低温p型复合热电材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:/n步骤S01:成分配置,称取Sn、Bi、Sb和Te单质原料装入容器中;/n步骤S02:气氛保护熔炼,向所述容器中持续通保护气体,加热熔炼,并保温一段时间;/n步骤S03:超声振动快速凝固,将步骤S02中反应后的熔体倒入液氮冷却的钢模中,超声振动快速凝固制备纳米晶p型Sn
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