[发明专利]钴掺杂多孔氧化镍气敏材料、气敏元件及制备方法与应用在审
| 申请号： | 201911006622.4 | 申请日： | 2019-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN110844948A | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 刘沛源 | 申请（专利权）人： | 刘沛源 |
| 主分类号： | C01G53/04 | 分类号： | C01G53/04;G01N27/12 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 王磊 |
| 地址： | 250100 山东省济南市历城区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： |
本公开提供了钴掺杂多孔氧化镍气敏材料、气敏元件及制备方法与应用，气敏材料由基体相和掺杂相组成，所述基体相为多孔氧化镍，所述多孔氧化镍为氧化镍纳米片自组装成的多孔球，所述多孔球的直径为2～10μm，氧化镍纳米片的厚度为10～30nm，掺杂相为钴离子，掺杂相以钴离子的形式掺杂于基体相晶格内部。其制备方法为采用水热法将基体相原料、掺杂相原料和沉淀剂制备成气敏材料前驱体，在将气敏材料前驱体进行煅烧获得钴掺杂多孔氧化镍气敏材料。本公开提供的气敏材料针对H |
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| 搜索关键词： | 掺杂 多孔 氧化 镍气敏 材料 元件 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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