[发明专利]一种高功率外腔半导体激光器有效
| 申请号： | 201911007127.5 | 申请日： | 2019-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN110600995B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 王智勇;王聪聪 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人： | 周文 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高功率外腔半导体激光器，外腔VCSEL阵列面光源由多个VCSEL阵列光源构成，VCSEL阵列光源的P型外延层为多膜全反射P型外延层，VCSEL阵列光源的N型外延层为多膜部分反射N型外延层，N型外延层的反射率为50‑90％；外腔VCSEL阵列面光源安装在凹面反射镜的凹面上，45°斜角圆柱反射镜的中部开有凹槽，凸面外腔反射镜安装在凹槽内且正对外腔VCSEL阵列面光源。本发明利用凹面反射镜、多膜全反射P型外延层、多膜部分反射N型外延层和凸面外腔反射镜构成耦合谐振腔；利用耦合谐振腔对光束的反馈调节作用，控制不同传输模式的损耗，抑制高阶模式，实现阵列单元间的相位锁定，从而提高输出光束的光束质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1.一种高功率外腔半导体激光器，其特征在于，包括：凹面反射镜、外腔VCSEL阵列面光源、45°斜角圆柱反射镜和凸面外腔反射镜；/n所述外腔VCSEL阵列面光源由多个VCSEL阵列光源构成，所述VCSEL阵列光源的P型外延层为多膜全反射P型外延层，所述VCSEL阵列光源的N型外延层为多膜部分反射N型外延层，所述N型外延层的反射率为50-90％；/n所述外腔VCSEL阵列面光源安装在所述凹面反射镜的凹面上，所述45°斜角圆柱反射镜的中部开有凹槽，所述凸面外腔反射镜安装在所述凹槽内且正对所述外腔VCSEL阵列面光源；/n所述外腔VCSEL阵列面光源的激光经所述凸面外腔反射镜反射至所述凹面反射镜，经所述凹面反射镜竖直反射至所述45°斜角圆柱反射镜，经所述45°斜角圆柱反射镜后水平输出。/n
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