[发明专利]一种利用近空间升华技术制备FTO导电玻璃的方法有效
| 申请号： | 201911008440.0 | 申请日： | 2019-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN110713349B | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 彭寿;殷新建;陈瑛;周显华 | 申请（专利权）人： | 中国建材国际工程集团有限公司 |
| 主分类号： | C03C17/22 | 分类号： | C03C17/22;C03C17/23 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 200030 上海市普*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种利用近空间升华技术制备FTO导电玻璃的方法，涉及FTO导电玻璃制备技术领域，包括：将CH3OH、HO(CH2)2NH2和NH3·H2O按照第一比例混合得到第一溶液；向所述第一溶液中加入SnCl4·5H2O并不断搅拌得到第二溶液；所述SnCl4·5H2O与所述HO(CH2)2NH2具有一第二比例；对所述第二溶液进行氟源掺杂，制备得到FTO薄膜前驱体；对所述FTO薄膜前驱体进行近空间升华沉积，制备得到FTO导电玻璃。本发明工艺简单，成本低廉，可利用FTO前驱体调控FTO膜层成份，结合已经产业化成熟的CSS工艺进行制备，可得到特定结构、形貌及光电性能的FTO导电玻璃。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 空间 升华 技术 制备 fto 导电 玻璃 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用近空间升华技术制备FTO导电玻璃的方法，其特征在于，具体包括：/n步骤S1，将CH3OH、HO(CH2)2NH2和NH3·H2O按照第一比例混合得到第一溶液；/n步骤S2，向所述第一溶液中加入SnCl4·5H2O并不断搅拌得到第二溶液；/n所述SnCl4·5H2O与所述HO(CH2)2NH2具有一第二比例；/n步骤S3，对所述第二溶液进行氟源掺杂，制备得到FTO薄膜前驱体；/n步骤S4，对所述FTO薄膜前驱体进行近空间升华沉积，制备得到FTO导电玻璃。/n
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