[发明专利]一种高质量κ相氧化镓外延薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201911009760.8 | 申请日： | 2019-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN110616456B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 叶建东;龚义清;郝景刚;陈选虎;任芳芳;顾书林 | 申请（专利权）人： | 南京大学;南京大学深圳研究院 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B25/18;C30B25/16;C30B29/16 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
一种采用卤化物气相外延生长κ‑Ga |
||
| 搜索关键词： | 一种 质量 氧化 外延 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种采用卤化物气相外延生长κ-Ga
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京大学;南京大学深圳研究院，未经南京大学;南京大学深圳研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911009760.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种晶体提拉生长装置
- 下一篇：一种用于锑化铟区域提纯的装置及方法
