[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 201911010030.X | 申请日： | 2019-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN112701150A | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 简士杰;李家豪;杨定儒;刘家慎 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 赵平;周永君 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构，包括：一基板；条状第一掺杂区，形成于该基板中；条状第二掺杂区，形成于该基板中，分别位于多个条状第一掺杂区之间，其中条状第一掺杂区的掺杂型式与条状第二掺杂区的掺杂型式相反；一第三掺杂区，形成于该基板中，包围条状第一掺杂区与条状第二掺杂区，其中该第三掺杂区的掺杂型式与该等条状第二掺杂区的掺杂型式相同；以及一第四掺杂区，形成于该基板中，位于该等条状第一掺杂区、该等条状第二掺杂区与该第三掺杂区下方，其中该第四掺杂区的掺杂型式与该等条状第二掺杂区的掺杂型式相同。本发明可提供一种可提升高压二极管元件的结击穿电压并维持同一电路系统中其他高压元件的电性稳定的半导体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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