[发明专利]晶片的扩展方法和晶片的扩展装置在审
| 申请号： | 201911010540.7 | 申请日： | 2019-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN111128840A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 川口吉洋;中村胜 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 乔婉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供晶片的扩展方法和晶片的扩展装置，将器件彼此的长边方向间隔和短边方向间隔均等地扩展。该方法将在由多条分割预定线划分的多个区域内分别形成有长方形的器件的晶片扩展，将相邻的器件间的间隔扩大，该方法包含：治具准备工序，准备具有椭圆开口部的环状治具，椭圆开口部具有：供器件的短边所排列的方向的露出粘接带粘贴而对露出粘接带的宽度进行限制的短轴部；和供器件的长边所排列的方向的露出粘接带粘贴的长轴部，其与短轴部相比将露出粘接带的宽度限制得较宽；和扩展工序，通过具有与晶片的外周对应的外周的圆筒状推压部件从粘接带侧推压晶片而使晶片远离环状框架，对晶片与环状框架之间的露出粘接带进行扩展，将相邻的器件间的间隔扩大。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 扩展 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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