[发明专利]基于杂交链反应及TdT调控的铅离子传感器及应用有效
| 申请号： | 201911010589.2 | 申请日： | 2019-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN110646486B | 公开（公告）日： | 2022-06-17 |
| 发明（设计）人： | 胡宇芳;张青青;胡丹丹;詹甜玉;王邃;郭智勇 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | G01N27/327 | 分类号： | G01N27/327;G01N27/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315211 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开了基于杂交链反应及TdT调控双重信号放大的铅离子交流阻抗传感器研究，具体步骤如下：处理Au，用HP修饰，发夹探针H1和发夹探针H2混合均匀滴到电极表面，HCR反应发生，然后TdT缓冲液、dATP、dGTP、TdT，混合均匀，滴于电极表面，TdT扩增反应发生，再依次滴加Pb |
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| 搜索关键词： | 基于 杂交 反应 tdt 调控 离子 传感器 应用 | ||
【主权项】：
1.基于杂交链反应及TdT调控双重信号放大的铅离子交流阻抗传感器研究，其特征在于，机理如下：设计了三种DNA探针，包括一个含有巯基并可引发HCR反应的辅助探针HP，以及可以产生HCR放大反应的发夹1(H1)和发夹2(H2)探针。HCR反应后，在dNTP(dATP∶dGTP＝4∶6)存在下，通过脱氧核苷酸末端转移酶的特异性催化，使dNTP不断叠加到H1和H2链的3’-OH末端，生成随机排布富G的长链DNA。在Pb
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