[发明专利]一种六方氮化硼薄膜制备时的带隙调控方法有效
| 申请号： | 201911010999.7 | 申请日： | 2019-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN110670017B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 叶思远;李宇波;华飞;邝昊泽;汪小知;杨杭生 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/35;C23C14/54 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林超 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种六方氮化硼薄膜制备时的带隙调控方法。在制备六方氮化硼薄膜过程中，通过控制六方氮化硼薄膜局域模态控制六方氮化硼薄膜带隙，局域模态包括局域c轴朝向、局域c面面积和局域c向层数，通过增大局域c轴与衬底平面夹角减小薄膜带隙，或者通过减小局域c面面积减小薄膜带隙，或者通过增加局域c向层数减小薄膜带隙。本发明方法实现了对六方氮化硼薄膜制备时进行带隙调控，以无毒无害的靶材和气体为原料，成本较低，设备简单。制备的六方氮化硼薄膜可用于紫外光传感、紫外发光、水体净化等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 薄膜 制备 调控 方法 | ||
【主权项】：
1.一种六方氮化硼薄膜制备时的带隙调控方法，其特征在于：/n在制备六方氮化硼薄膜过程中，通过控制六方氮化硼薄膜局域模态控制六方氮化硼薄膜带隙，局域模态包括局域c轴朝向、局域c面面积和局域c向层数，通过增大局域c轴与衬底平面夹角减小薄膜带隙，或者通过减小局域c面面积减小薄膜带隙，或者通过增加局域c向层数减小薄膜带隙。/n
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