[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201911011130.4 | 申请日： | 2014-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN110783298B | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 松本一治;大鸟居英 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 李晗;曹正建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括第一半导体电子元件，所述第一半导体电子元件包括焊盘电极、焊料凸块以及位于焊盘与焊料之间的金属层，所述位于焊盘与焊料之间的金属层被配置成具有底层金属层和主金属层，所述底层金属层形成在所述焊盘电极与所述焊料凸块之间并与所述焊盘电极相连接，且所述主金属层形成在所述底层金属层上，其中，所述主金属层在其外边缘部处具有屋檐部。由此，在本发明中，在抑制大批量生产率的下降和成本的增加的同时防止了半导体电子元件之间的电连接和机械连接的可靠性的降低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其包括：/n第一半导体电子元件，所述第一半导体电子元件包括焊盘电极、钝化层、焊料凸块以及位于所述焊盘电极与所述焊料凸块之间的金属层，所述焊盘电极嵌入所述钝化层且所述钝化层具有暴露所述焊盘电极的开口，所述金属层包括(a)底层金属层，所述底层金属层包括位于所述焊盘电极和所述焊料凸块之间的第一层和第二层，所述底层金属层连接至所述焊盘电极，以及(b)位于所述底层金属层上的主金属层，/n其中，所述金属层在俯视图中与所述钝化层的上表面重叠，/n所述钝化层的一部分与所述焊盘电极的边缘接触，/n所述主金属层在其外边缘部处具有屋檐部，所述屋檐部从所述主金属层侧突出，并与所述焊盘电极的上表面和所述钝化层的所述上表面平行地突出，/n所述屋檐部的边缘部在远离所述第一层的边缘和所述第二层的边缘的第一方向上突出，使得在所述屋檐部的所述边缘部和所述钝化层之间存在空隙，且/n所述焊料凸块与所述屋檐部的所述边缘部接触。/n
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