[发明专利]基于碲化锑材料的宽响应光谱探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 201911011670.2 | 申请日： | 2019-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN110729365A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 唐利斌;张玉平;邢一山;赵鹏;舒恂 | 申请（专利权）人： | 昆明物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/102;H01L31/18 |
| 代理公司： | 53114 昆明祥和知识产权代理有限公司 | 代理人： | 和琳 |
| 地址： | 650000 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 基于碲化锑材料的宽响应光谱探测器及其制备方法，涉及光电技术领域，尤其涉及一种基于拓扑绝缘体材料Sb | ||
| 搜索关键词： | 响应 制备 衬底 拓扑绝缘体材料 光电探测器 光谱探测器 碲化锑 薄膜 退火 光电技术领域 光谱响应 红外波段 器件性能 制备过程 制备周期 紫外波段 高响应 宽光谱 探测率 异质结 溅射 光谱 原型 清洁 | ||
【主权项】：
1.基于碲化锑材料的宽响应光谱探测器，其特征在于光谱响应层为拓扑绝缘体材料Sb
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆明物理研究所，未经昆明物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911011670.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种提高GaN紫外探测器光开关频率的方法
- 下一篇：高压太阳能模块
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
