[发明专利]一种LNOI基光波导反向楔形模斑耦合器及制备方法有效
| 申请号： | 201911011725.X | 申请日： | 2019-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN110632702B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 王智勇;李颖;兰天 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/12;G02B6/136;G02B6/132;G02B6/26 |
| 代理公司： | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人： | 王秀丽 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LNOI基光波导反向楔形模斑耦合器及制备方法，LNOI结构顶部的LN层作为第一波导芯层，第一波导芯层为反向楔形结构；第一波导芯层上覆盖有具有固定宽度的第二波导芯层，第二波导芯层的折射率小于第一波导芯层的折射率。本发明利用波导结构光传输芯层在高度和宽度的变化，实现在垂直和水平方向上对入射光的扩展或者压缩，达到亚微米尺寸光波导器件与光芯片或者单模光纤的高效耦合的目的；本发明可以实现LNOI基光波导与光芯片或单模光纤的直接端面耦合，提高二者的模斑匹配度，有利于大规模光路的集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 lnoi 波导 反向 楔形 耦合器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种LNOI基光波导反向楔形模斑耦合器，其特征在于，包括：LNOI结构；/n所述LNOI结构顶部的LN层作为第一波导芯层；/n所述第一波导芯层为反向楔形结构，沿光传播反向包括：具有固定宽度的第一波导部和宽度渐缩的第二波导部；所述第一波导部的端部置于所述LNOI结构的一端面处，用于连接LNOI基光波导；所述第二波导部的端部置于所述LNOI结构的两端面之间；/n所述第一波导芯层上覆盖有具有固定宽度的第二波导芯层，所述第二波导芯层的折射率小于所述第一波导芯层的折射率；所述第二波导芯层的一端部置于所述第一波导部与第二波导部的的交界端面处；所述第二波导芯层的另一端部置于所述LNOI结构的另一端面处，用于连接光芯片或单模光纤。/n
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