[发明专利]高功率激光系统中反射光学元件的制备及其测温方法有效

专利信息
申请号: 201911012197.X 申请日: 2019-10-23
公开(公告)号: CN110736561B 公开(公告)日: 2020-09-15
发明(设计)人: 晋云霞;徐姣;邵建达;张益彬;王勇禄;曹红超;孔钒宇;陈俊明 申请(专利权)人: 中国科学院上海光学精密机械研究所
主分类号: G01K11/18 分类号: G01K11/18;G02B5/08;G02F1/01
代理公司: 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 代理人: 张宁展
地址: 201800 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种高功率激光系统中反射光学元件的制备及其测温方法,反射光学元件的制备包括步骤:在基底材料上利用磁控溅射镀制一层VO2相变薄膜;在VO2相变薄膜上镀制高反膜。由于VO2的相变特性,反射光学元件的透过率会随温度发生变化,高功率激光系统中测温方法包括利用接触式测温的方法测试反射光学元件在某一波长处透过率随温度变化的曲线;高功率激光系统中,增加该波长的探测激光入射至反射光学元件表面的辐照区域,并利用功率计测试探测激光的透过率;结合上述透过率随温度变化曲线利用透射率计算光学元件的表面温度。本发明相比红外热像仪测温的方法不仅成本较低,而且可以高精度的测试光学元件表面微米深度的温度变化。
搜索关键词: 功率 激光 系统 反射 光学 元件 制备 及其 测温 方法
【主权项】:
1.一种高功率激光系统中反射光学元件的制备方法,其特征在于,该制备方法包含如下步骤:/n第一步在基底材料上利用磁控溅射镀制一层厚度为50-70nm的VO
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