[发明专利]红外探测器及其制作方法

摘要

本发明公开了红外探测器及其制作方法，所述红外探测器包括衬底、P型超晶格接触层、P型超晶格吸收层、空穴势垒层、N型超晶格接触层、第一电极以及第二电极，所述P型超晶格接触层、P型超晶格吸收层、空穴势垒层以及N型超晶格接触层从下而上叠层设置在衬底上，所述第一电极设置在P型超晶格接触层上，所述第二电极设置在N型超晶格接触层上。其中，所述空穴势垒层为InAs/InPSb超晶格。由此，本发明凭借InAs/InPSb超晶格势垒层完美实现了以无Al结构对空穴的阻挡，有效抑制暗电流的同时，降低了材料生长和加工的难度、提升了器件的稳定性和可靠性。而且，InAs/InPSb超晶格可作为短波、中波和长波红外探测器的空穴势垒层，适用于各类波长的红外探测器，泛用性较强。