[发明专利]阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板在审
| 申请号： | 201911013122.3 | 申请日： | 2019-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN110729236A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 刘翔 | 申请（专利权）人： | 成都中电熊猫显示科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄溪;刘芳 |
| 地址： | 610200 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板，阵列基板的制造方法包括：在衬底基板上依次沉积透明导电层和栅极金属层，并进行第一次光刻工艺，以形成像素电极和栅极；在形成有像素电极和栅极的衬底基板上依次沉积栅极绝缘层、金属氧化物半导体层以及保护层，并进行第二次光刻工艺，以形成金属氧化物半导体图形、保护图形、源极和漏极与金属氧化物半导体图形的接触过孔、以及漏极与像素电极的接触过孔；在形成有金属氧化物半导体图形和保护图形的衬底基板上沉积源漏极金属层，并进行第三光刻工艺，以形成源极和漏极，并使漏极和像素电极电连接。本发明能够减少光刻工艺过程的次数，工艺简单，制作成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 像素电极 漏极 金属氧化物半导体 衬底基板 阵列基板 源极 金属氧化物半导体层 沉积栅极绝缘层 光刻工艺过程 漏极金属层 透明导电层 栅极金属层 显示面板 一次光刻 保护层 沉积源 电连接 次光 沉积 制造 制作 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：/n在衬底基板上依次沉积透明导电层和栅极金属层，并进行第一次光刻工艺，以形成像素电极和栅极；/n在形成有所述像素电极和栅极的衬底基板上依次沉积栅极绝缘层、金属氧化物半导体层以及保护层，并进行第二次光刻工艺，以形成金属氧化物半导体图形、保护图形、源极和漏极与所述金属氧化物半导体图形的接触过孔、以及所述漏极与所述像素电极的接触过孔；/n在形成有金属氧化物半导体图形和保护图形的衬底基板上沉积源漏极金属层，并进行第三光刻工艺，以形成源极和漏极，并使所述漏极和所述像素电极电连接。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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