[发明专利]肖特基二极管的制备方法有效
| 申请号： | 201911013284.7 | 申请日： | 2019-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN110797391B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 王元刚;冯志红;吕元杰;刘宏宇;周幸叶;谭鑫;宋旭波;梁士雄 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L21/329;H01L29/872 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 付晓娣 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体领域，特别涉及一种肖特基二极管的制备方法。该方法包括：在衬底上外延n型氧化镓层；在所述n型氧化镓层上制备第一掩膜层；其中，所述第一掩膜层位于待制备的氮离子处理区以外所对应的区域；对器件正面进行等离子体表面处理，形成氮离子处理区；其中，处理气体为氮气或含氮元素的化合物；去除所述第一掩膜层；制备正面阳极金属层和背面阴极金属层；其中，所述阳极金属层的左右边缘位于所述氮离子处理区所对应的区域内，且所述阳极金属层下方对应的区域包含所述氮离子处理区以外所对应的区域。上述方法可以优化阳极结处电场，提高器件的耐高压特性并兼顾导通特性。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括：/n在衬底上外延n型氧化镓层；/n在所述n型氧化镓层上制备第一掩膜层；其中，所述第一掩膜层位于待制备的氮离子处理区以外所对应的区域；/n对器件正面进行等离子体表面处理，形成氮离子处理区；其中，处理气体为氮气或含氮元素的化合物；/n去除所述第一掩膜层；/n制备正面阳极金属层和背面阴极金属层；其中，所述阳极金属层的左右边缘位于所述氮离子处理区所对应的区域内，且所述阳极金属层下方对应的区域包含所述氮离子处理区以外所对应的区域。/n
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