[发明专利]一种超导-拓扑半金属复合式磁探测器有效
| 申请号： | 201911014719.X | 申请日： | 2019-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN110726960B | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 伍岳;肖立业 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;G01R33/035 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 关玲 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种超导‑拓扑半金属复合式磁探测器，涉及一种超导磁探测器，包括超导层(1)及拓扑半金属层(2)。所述的超导层(1)为闭合超导环路结构，超导环路中的一段区域采用电流压缩区域。拓扑半金属层为锯齿形条状结构。拓扑半金属层(2)位于超导层(1)闭合环路中电流压缩区域内侧，且拓扑半金属层(2)与超导层(1)中电流压缩区域之间的间距小于超导层(1)中电流压缩区域的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超导 拓扑 金属 复合 探测器 | ||
【主权项】：
1.一种超导-拓扑半金属复合式磁探测器，其特征在于：所述的超导-拓扑半金属复合式磁探测器包括超导层(1)和拓扑半金属层(2)；超导层(1)为闭合超导环路结构，超导环路中有一段电流压缩区域，所述的电流压缩区域的环路宽度小于超导环路其余部分的环路宽度，为一狭窄区域；拓扑半金属层(2)为锯齿形条状结构；拓扑半金属层(2)位于超导层(1)中电流压缩区域内侧，拓扑半金属层(2)与超导层(1)中电流压缩区域之间的间距小于超导层(1)中电流压缩区域的宽度，拓扑半金属层(2)的长度小于超导层(1)中电流压缩区域的长度。/n
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