[发明专利]高跨导低输入电容轨到轨运放有效
| 申请号： | 201911016065.4 | 申请日： | 2019-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN110690865B | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 刘辉 | 申请（专利权）人： | 杭州雄迈集成电路技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/45 | 分类号： | H03F3/45;H03F1/26;H03F1/56 |
| 代理公司： | 杭州裕阳联合专利代理有限公司 33289 | 代理人： | 姚宇吉 |
| 地址： | 311400 浙江省杭州市富阳*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高跨导低输入电容轨到轨运放，涉及运算放大器技术领域。本发明包括NMOS管mn1～5、PMOS管mp1～7；mn2、mn3组成NMOS差分对；mp1、mp2组成PMOS差分对；mp3构成尾电流偏置；mn4、mn5组成电流镜。本发明通过在轨到轨输入的运放中，采用两级镜像运放，第一级是差分输入对，宽长比小，从第一级镜像到输出级时就进行电流倍数的放大，从而达到整个运放的等效输入跨导变大的目的，同时实现输入电容小的效果；在轨到轨输入的前提下，实现了高跨导的同时，运放的等效输入电容减小，这样对前级电路的负载就小，对前级电路的干扰就小；而且，等效输入电容小了，利于高频小信号的工作。 | ||
| 搜索关键词： | 高跨导低 输入 电容 轨到轨运放 | ||
【主权项】：
1.高跨导低输入电容轨到轨运放，其特征在于，包括NMOS管mn1、NMOS管mn2、NMOS管mn3、NMOS管mn4、NMOS管mn5、PMOS管mp1、PMOS管mp2、PMOS管mp3、PMOS管mp4、PMOS管mp5、PMOS管mp6、PMOS管mp7；/n所述NMOS管mn2、NMOS管mn3组成一NMOS差分对；/n所述PMOS管mp1、PMOS管mp2组成一PMOS差分对；/n所述PMOS管mp3构成一尾电流偏置；/n所述NMOS管mn4、NMOS管mn5组成电流镜，并利用NMOS管mn4、NMOS管mn5这对电流镜做负载；/n电流在所述PMOS管mp5镜像到PMOS管mp4、NMOS管mn4镜像到NMOS管mn5时，进行倍数的放大。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州雄迈集成电路技术股份有限公司，未经杭州雄迈集成电路技术股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911016065.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：能隙电压参考电路
- 下一篇：降低功率放大器功耗的处理方法、装置及终端
