[发明专利]磁传感器有效
| 申请号： | 201911016372.2 | 申请日： | 2019-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN111090063B | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 高野研一;斋藤祐太;平林启 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;黄浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明涉及一种其输出特性对环境温度较不敏感的磁传感器。磁传感器(1)具有：自由层(24)，其磁化方向响应于外部磁场而改变；钉扎层(22)，其磁化方向相对于所述外部磁场固定；间隔层(23)，其位于所述钉扎层(22)与所述自由层(24)之间并表现出磁阻效应；以及至少一个磁性膜(25)，其设置在自由层(24)的侧边并向自由层(24)施加偏置磁场。满足关系0.7≤T |
||
| 搜索关键词： | 传感器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TDK株式会社，未经TDK株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911016372.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：有机发光二极管显示器
- 下一篇：支撑支柱的开采方法
