[发明专利]具有多个沟道层的非易失性存储器件有效
| 申请号： | 201911017190.7 | 申请日： | 2019-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN111384059B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 刘香根;宋姝璃;李世昊;李在吉 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H10B43/00 | 分类号： | H10B43/00;H10B43/27;H10B43/30 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;周晓雨 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有多个沟道层的非易失性存储器件。根据实施例的非易失性存储器件包括：衬底；单元电极结构，其设置在衬底上并包括交替层叠的层间绝缘层和栅电极层；沟槽，其穿过衬底上的单元电极结构；电荷储存结构，其设置在沟槽的侧壁表面上；和沟道结构，其相邻于电荷储存结构设置并沿平行于侧壁表面的方向延伸。沟道结构包括单独的空穴传导层和相邻的且单独的电子传导层。设置在控制电介质层上的控制沟道层是电子传导层的一部分，该控制沟道层被配置为电连接到沟道结构和电荷储存结构。控制电介质层和电荷阻挡层是分立的，但是从控制沟道结构到电荷储存结构是连续的。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 沟道 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
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