[发明专利]基于柔性衬底的半导体外延结构、VCSEL及制作方法有效
| 申请号： | 201911017403.6 | 申请日： | 2019-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN110739604B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 李峰柱;田宇;刘潇杰;韩效亚;杜石磊 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/183 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361001 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于柔性衬底的半导体外延结构、VCSEL及制作方法，采用氟金云母作为衬底，既解决了现有半导体衬底不可弯折、不易剥离的问题，又兼顾了半导体器件的温度要求。对于缓冲层，多层第一GaInP缓冲层逐层渐变，呈现阶梯渐变趋势，通过在In组分阶变的相邻两层第一GaInP缓冲层之间插入In组分阶变方向相反的第二GaInP缓冲层，形成In组分波动渐变的结构，从而在缓冲层中引入压缩应力，增加了位错的相互作用，使表面更平滑，并进一步降低了穿透位错，提高了在氟金云母衬底上的外延层质量，实现了氟金云母衬底在半导体器件的运用。VCSEL具有可弯折、易剥离、外延层质量好、出光效率高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 柔性 衬底 半导体 外延 结构 vcsel 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于柔性衬底的半导体外延结构，其特征在于，包括氟金云母衬底和设于氟金云母衬底上的缓冲层，所述缓冲层包括：/n多层第一GaInP缓冲层和至少一层第二GaInP缓冲层，多层第一GaInP缓冲层自下而上依次设置且In组分逐层渐变；相邻两层第一GaInP缓冲层之间设有所述第二GaInP缓冲层，所述第二GaInP缓冲层与相邻两层第一GaInP缓冲层之间呈阶梯变化，该阶梯变化的方向与多层第一GaInP缓冲层渐变的方向相反。/n
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