[发明专利]氮化镓HEMT管集成电路、反激电路、无桥PFC电路及激光雷达在审
| 申请号： | 201911017790.3 | 申请日： | 2019-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN110649914A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 何川;赵起越 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科(珠海)科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K3/353 | 分类号： | H03K3/353;H03K3/01;G01S7/484;G01S7/282 |
| 代理公司： | 44224 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人： | 张彬彬 |
| 地址： | 519000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化镓HEMT管集成电路、反激电路、无桥PFC电路及激光雷达。其中，氮化镓HEMT管集成电路包括：封装于管壳内的第一氮化镓HEMT管、反向续流单元及泄放单元；反向续流单元的输入端连接第一氮化镓HEMT管的源极，输出端连接第一氮化镓HEMT管的漏极，用于与第一氮化镓HEMT管构成反向续流回路；泄放单元的输入端连接第一氮化镓HEMT管的漏极，输出端用于接地，用于为第一氮化镓HEMT管进行电流泄放。通过针对主管芯第一氮化镓HEMT管配置反向续流单元，使氮化镓HEMT管集成电路具备良好的反向续流能力，配置泄放单元为第一氮化镓HEMT泄放电流，提高雪崩耐量，从而提高主管芯第一氮化镓HEMT管的容限范围，能够在更多场景下取代MOSFET，获得比MOSFET更优的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化镓HEMT 续流单元 泄放 集成电路 输入端连接 漏极 无桥PFC电路 输出端连接 电流泄放 反激电路 激光雷达 泄放电流 续流回路 雪崩耐量 接地 输出端 封装 管壳 配置 容限 续流 源极 主管 场景 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓HEMT管集成电路，其特征在于，包括：封装于管壳内的第一氮化镓HEMT管及反向续流单元；/n所述反向续流单元的输入端连接所述第一氮化镓HEMT管的源极，输出端连接所述第一氮化镓HEMT管的漏极，用于与所述第一氮化镓HEMT管构成反向续流回路；/n所述泄放单元的输入端连接所述第一氮化镓HEMT管的漏极，输出端用于接地，用于为所述第一氮化镓HEMT管进行电流泄放。/n
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