[发明专利]晶圆键合方法及装置在审
| 申请号： | 201911019699.5 | 申请日： | 2019-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN110676159A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 张银 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆键合方法及装置，包括将第一晶圆和第二晶圆进行键合以形成键合晶圆；对所述键合晶圆进行空洞缺陷扫描，并判断出所述键合晶圆中的空洞缺陷是否符合控制要求；空洞缺陷符合控制要求的键合晶圆进行退火处理，而空洞缺陷不符合控制要求的键合晶圆则进行返工，从而可以拦截出存在报废风险的键合晶圆，有效的降低了键合晶圆的报废率，并且返工后的两个晶圆可以再次进行键合，不会直接报废，从而降低了制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 键合 空洞缺陷 控制要求 返工 报废 退火处理 制造成本 报废率 圆键 种晶 拦截 扫描 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括：/n将第一晶圆和第二晶圆进行键合以形成键合晶圆；/n对所述键合晶圆进行空洞缺陷检测，并判断出所述键合晶圆中的空洞缺陷是否符合控制要求；/n当所述键合晶圆中的空洞缺陷不符合控制要求时，对所述键合晶圆进行返工，当所述键合晶圆中的空洞缺陷符合控制要求时，对所述键合晶圆进行退火处理。/n
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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