[发明专利]具有透明导电和低折射率栅极的MOS电容式光学调制器在审
| 申请号： | 201911019789.4 | 申请日： | 2015-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN110824729A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 陈宏民;徐千帆;杨莉;沈晓安 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/025 | 分类号： | G02F1/025;G02B6/12;G02F1/015 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种金属氧化物半导体(MOS)光学调制器，包括：具有波导结构的掺杂半导体层；设置在所述掺杂半导体层的波导结构上的介电层；设置在所述介电层上的栅极区，其中所述栅极区包括折射率比硅低的透明导电材料；以及设置在所述栅极区上的金属接触。所述金属接触、所述栅极区和所述掺杂半导体层的波导结构彼此可以垂直排列。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 透明 导电 折射率 栅极 mos 电容 光学 调制器 | ||
【主权项】：
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