[发明专利]一种磁性金属薄膜磁畴调控方法在审
| 申请号： | 201911020182.8 | 申请日： | 2019-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN110629183A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 乔宪武;丁红 | 申请（专利权）人： | 杭州联芳科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/54;C23C14/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭州经济技术开*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种磁性薄膜，特别涉及一种磁性金属薄膜磁畴调控方法。为了解决目前存在的问题，提出了一个有效的磁畴调控方法：采用磁控溅射方法实现磁性薄膜的磁畴调控。通过磁控溅射过程中对磁性薄膜表面磁场的控制，实现了对磁性薄膜磁畴方向的调控，亥姆霍兹线圈产生的是匀强磁场，磁场方向及大小可控可调，对于磁畴在形成过程中的操控性强。 | ||
| 搜索关键词： | 磁畴 磁性薄膜 调控 磁控溅射 磁性薄膜表面 磁性金属薄膜 亥姆霍兹线圈 磁场方向 匀强磁场 操控性 可调 可控 磁场 | ||
【主权项】：
1.一种磁性金属薄膜磁畴调控方法，采用磁控溅射方法实现磁性薄膜的磁畴调控，其特征在于：采用磁控溅射方式沉积，磁性薄膜在沉积过程中，表面施加匀强磁场，匀强磁场大小方向可调。/n
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