[发明专利]一种基于熔融石英衬底的太赫兹在片校准件制造方法在审
| 申请号： | 201911020208.9 | 申请日： | 2019-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN110988767A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 郁发新;王立平;丁旭;顾易帆;王志宇;莫炯炯 | 申请（专利权）人： | 浙江铖昌科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R35/00 | 分类号： | G01R35/00 |
| 代理公司： | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人： | 董世博 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于熔融石英衬底的太赫兹在片校准件制造方法，具体包括如下步骤：101)晶片加工步骤、102)表面处理步骤、103)初步制作步骤、104)二次处理步骤；本发明提供制造出高性能的开路结构、短路结构、直通结构、负载结构、延时结构的在片校准件，并且可通过模型对其电性能进行合理表征的一种基于熔融石英衬底的太赫兹在片校准件制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 熔融 石英 衬底 赫兹 校准 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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