[发明专利]一种吸收剂量的定量蒙特卡罗模拟方法、系统及存储介质有效
| 申请号： | 201911020779.2 | 申请日： | 2019-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN110782952B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 吴正新;孙慧斌;何承发;赵海歌;刘国卿;胡世鹏;钟健;甘林;罗奇;郝昕 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | G16C10/00 | 分类号： | G16C10/00;G16C20/10 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种吸收剂量的定量蒙特卡罗模拟方法、系统及存储介质，方法包括：建立中空三维屏蔽模型和三维界面网格模型；模拟X射线照射三维模型，获取半导体层不同位置网格中沉积的能量；根据获取到的不同位置网格中沉积的能量、半导体层密度及网格体积得到半导体层不同深度的吸收剂量。本发明通过预先建立三维屏蔽模型和三维界面网格模型，模拟X射线照射三维屏蔽模型，可对初级粒子以及所有的次级粒子进行跟踪从而得到半导体层精确的吸收剂量；通过三维屏蔽模型能够减弱金与半导体层界面的剂量增强效应，进一步提高吸收剂量测量的准确性；通过对半导体层进行网格划分，能够测量半导体任意位置的吸收剂量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 吸收剂量 定量 蒙特卡罗 模拟 方法 系统 存储 介质 | ||
【主权项】：
1.一种吸收剂量的定量蒙特卡罗模拟方法，其特征在于，包括：/n建立中空三维屏蔽模型；/n根据半导体器件材料特性，在所述三维屏蔽模型内建立由金薄膜层和半导体层组成的三维界面网格模型；/n模拟X射线照射所述三维屏蔽模型，获取X射线入射到所述半导体层不同位置网格中沉积的能量；/n根据获取到的不同位置网格中沉积的能量、所述半导体层密度及网格体积得到所述半导体层不同深度的吸收剂量。/n
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