[发明专利]一种可以提高性能的钙钛矿发光二极管的制备方法有效
| 申请号： | 201911021957.3 | 申请日： | 2019-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN110739411B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 郭晓阳;欧剑峰;林杰;范翊;吕营;刘星元 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/54;H01L51/52 |
| 代理公司： | 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 | 代理人： | 张伟 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种可以提高钙钛矿发光二极管性能的制备方法。本发明的钙钛矿发光二极管的制备方法在改善钙钛矿薄膜覆盖度及提高钙钛矿发光二极管发光效率和稳定性上具有明显优势。本发明针对无机钙钛矿发光层溶解度有限且薄膜易结晶而形成不均匀且不连续的钙钛矿发光层而影响器件性能的问题，采用醇胺类化合物作为阳极界面修饰层有效改善钙钛矿薄膜形貌，提高薄膜覆盖度，减小薄膜内部缺陷及器件漏电流，进而提高发光器件性能及稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可以 提高 性能 钙钛矿 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种可以提高性能的钙钛矿发光二极管的制备方法，包括以下步骤：/n步骤i、在带有图案化透明阳极层(2)的基板(1)上制备阳极界面层(3)；/n步骤ii、在所述阳极界面层(3)上制备阳极界面修饰层(4)；/n步骤iii、在所述阳极界面修饰层(4)上生长钙钛矿发光层(5)；/n步骤iv、在所述钙钛矿发光层(5)上方通过蒸发依次得到阴极界面层(6)、阴极界面修饰层(7)和阴极层(8)。/n
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