[发明专利]用于在晶片级封装工艺中控制翘曲的方法和设备在审
| 申请号： | 201911022264.6 | 申请日： | 2019-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN111106019A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | P·利安托;M·拉菲;M·A·B·S·苏莱曼;G·H·施;Y·X·K·安;S·斯如纳乌卡拉苏;A·桑达拉扬;K·埃卢马莱 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 汪骏飞;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了用于在晶片级封装工艺中控制翘曲的方法和设备。用于在衬底上产生精细间距图案化的方法和设备。在载体或无载体的衬底上完成所述衬底的翘曲校正。通过将所述衬底的温度升高到第一温度且保持为所述第一温度和将所述无载体的衬底冷却到第二温度来对所述衬底执行第一翘曲校正工艺。然后执行进一步晶片级封装处理，诸如在所述衬底上的聚合物层中形成通孔。然后通过将所述衬底的温度升高到第三温度且保持为所述第三温度和将所述衬底冷却到第四温度来在所述衬底上执行第二翘曲校正工艺。随着所述衬底的所述翘曲减小，可以用2/2μm l/s精细间距图案化来在所述衬底上形成再分布层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 晶片 封装 工艺 控制 方法 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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