[发明专利]金属硬掩膜氮化钛颗粒缺陷的改善方法有效
| 申请号： | 201911023024.8 | 申请日： | 2019-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN110752150B | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 雷海波;田明;鲍宇;李西祥 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种金属硬掩膜氮化钛颗粒缺陷的改善方法，提供一介电层，在所述介电层上以高氮气氛围溅射第一TiN层，所述第一TiN层延其厚度方向含氮量均匀；将步骤一中的所述高氮气氛围过渡至低氮气氛围，在所述第一TiN层上溅射第二TiN层，所述第二TiN层延其厚度方向含氮量逐渐降低；对所述第二TiN层表面进行等离子体处理，形成第三TiN层，所述第三TiN层延其厚度方向含氮量与所述第一TiN层延其厚度方向含氮量一致。本发明采用两步氮化钛沉积方法，克服了高氮气氛围溅射氮化钛颗粒导致缺陷的缺点，同时避免了低氮气氛围溅射氮化钛压应力较高的缺点，提高了产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 硬掩膜 氮化 颗粒 缺陷 改善 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属硬掩膜氮化钛颗粒缺陷的改善方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：/n步骤一、提供一介电层，在所述介电层上以高氮气氛围溅射第一TiN层，所述第一TiN层延其厚度方向含氮量均匀；/n步骤二、将步骤一中的所述高氮气氛围过渡至低氮气氛围，在所述第一TiN层上溅射第二TiN层，所述第二TiN层延其厚度方向含氮量逐渐降低；/n步骤三、对所述第二TiN层表面进行等离子体处理，形成第三TiN层，所述第三TiN层延其厚度方向含氮量与所述第一TiN层延其厚度方向含氮量一致。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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