[发明专利]一种发光二极管中电子阻挡层的生长方法和发光二极管有效
| 申请号： | 201911023427.2 | 申请日： | 2019-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN110739374B | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 康建;焦建军;陈向东 | 申请（专利权）人： | 圆融光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 朱颖;刘芳 |
| 地址： | 243000 安徽省马*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明提供一种发光二极管中电子阻挡层的生长方法和发光二极管，生长方法包括：1)在800‑930℃和200Torr下，向反应设备中通入氮气、氨气、三甲基铝、三甲基镓以及三甲基铟，在量子阱发光层上生长第一Al |
||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 电子 阻挡 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的生长方法，其特征在于，包括：/n1)在800-930℃和200Torr下，向反应设备中通入氮气、氨气、三甲基铝、三甲基镓以及三甲基铟，在量子阱发光层上生长第一Al
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于圆融光电科技股份有限公司，未经圆融光电科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911023427.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
