[发明专利]快瞬态响应LDO及其电路有效
| 申请号： | 201911024548.9 | 申请日： | 2019-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN110632970B | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 刘兴;胡毅;马永旺;李振国;刘浩;冯曦;冯文楠;唐晓柯;邵炜平 | 申请（专利权）人： | 北京智芯微电子科技有限公司;国家电网有限公司;国网浙江省电力有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 王崇 |
| 地址： | 100192 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种快瞬态响应LDO及其电路，该电路包含一个快通路和一个慢通路，快通路由负载晶体管、第七晶体管以及第六晶体管组成。慢通路由负载晶体管、第一晶体管、第五晶体管以及第七晶体管组成。快通路用来增大环路带宽，慢通路用来增加DC精度。电路中的第二电容和第三电容能够感知负载变化，通过电容耦合的方式相应的增大或减小流过第十四晶体管和第三晶体管的电流，通过增加对负载晶体管栅极电容充放电速度从而加快环路响应速度，减小输出电压的过冲值。 | ||
| 搜索关键词： | 瞬态 响应 ldo 及其 电路 | ||
【主权项】：
1.一种快瞬态响应LDO电路，其特征在于，包括：/n第一晶体管；/n第一电阻，其一端与所述第一晶体管的源极相连，所述第一电阻的另一端与输入电压相连；/n第二电阻，其一端与所述输入电压相连；/n第四晶体管，其源极与所述第二电阻的另一端相连，所述第四晶体管的栅极与所述第四晶体管的漏极以及所述第一晶体管的栅极均相连；/n负载晶体管，其源极与所述输入电压相连，所述负载晶体管的栅极与所述第四晶体管的漏极相连，所述负载晶体管的漏极作为所述快瞬态响应LDO电路的电压输出端；/n第五晶体管，其源极与控制电压相连，所述第五晶体管的漏极与所述第一晶体管的漏极相连，所述第五晶体管的栅极与所述第五晶体管的漏极相连；/n第六晶体管，其栅极与所述第五晶体管的源极相连，所述第六晶体管的漏极与所述第四晶体管的栅极相连；/n第七晶体管，其源极与所述负载晶体管的漏极相连，所述第七晶体管的栅极与所述第五晶体管的栅极相连，所述第七晶体管的漏极与所述第六晶体管的源极相连。/n
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